|
تفاصيل المنتج:
|
|
| مكان المنشأ: | أصلي |
|---|---|
| اسم العلامة التجارية: | original |
| إصدار الشهادات: | ISO9001:2015standard |
| رقم الموديل: | TK30E06N1 ، S1X |
|
شروط الدفع والشحن:
|
|
| الحد الأدنى لكمية: | 10 قطع |
| الأسعار: | pls contact us |
| تفاصيل التغليف: | اساسي |
| وقت التسليم: | 2-3 يوم عمل |
| شروط الدفع: | L / C ، ويسترن يونيون ، palpay |
| القدرة على العرض: | 1000 قطعة / شهر |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| اسم المنتج: | TK30E06N1 S1X | فئة المنتج: | موسفيت |
|---|---|---|---|
| أسلوب التركيب: | من خلال ثقب | العبوة / العلبة: | TO-220-3 |
| قطبية الترانزستور: | قناة N | ارتفاع: | 15.1 ملم |
| تسليط الضوء: | TK30E06N1 S1X الترانزستور IC رقاقة,TK30E06N1 S1X MOSFET عبر الفتحة,الترانزستور IC رقاقة MOSFET من خلال الفتحة |
||
منتوج وصف
TK30E06N1 ، S1X ترانزستورات أشباه الموصلات المنفصلة عبر الفتحة
.الميزات (1) مقاومة منخفضة لمصدر التصريف: RDS (تشغيل) = 12.2 متر مكعب (نوع) (VGS = 10 فولت)
(2) تيار تسرب منخفض: IDSS = 10 µA (حد أقصى) (VDS = 60 فولت)
(3) وضع التحسين: Vth = 2.0 إلى 4.0 V (VDS = 10 V ، ID = 0.2 مللي أمبير)
| موسفيت | |
| بنفايات: | تفاصيل |
| سي | |
| من خلال ثقب | |
| TO-220-3 | |
| قناة N | |
| 1 قناة | |
| 60 فولت | |
| 43 أ | |
| 15 مللي أوم | |
| - 20 فولت ، +20 فولت | |
| 2 فولت | |
| 16 ن | |
| - 55 ج | |
| + 150 درجة مئوية | |
| 53 واط | |
| التعزيز | |
| U-MOSVIII-H | |
| الة النفخ | |
| إعدادات: | غير متزوج |
| ارتفاع: | 15.1 ملم |
| طول: | 10.16 ملم |
| نوع المنتج: | موسفيت |
| مسلسل: | TK30E06N1 |
| كمية حزمة المصنع: | 50 |
| تصنيف فرعي: | الترانزستورات |
| نوع الترانزستور: | 1 قناة N |
| عرض: | 4.45 ملم |
| وحدة الوزن: | 0.068784 أوقية |
اكتب رسالتك
| Walton Electronics Co., Ltd. |
| 5C ، المبنى D ، عالم GALAXY ، منطقة لونغهوا ، Shenzhen.CN |
| 86-0755-8835-8585 |
| Walton-cara@walton-ic.com |
