MT40A512M16HA-083E ذاكرة فلاش IC درام 8 جيجابت 512 م × 16

منتوج وصف

MT40A512M16HA-083E: درج ذاكرة ICs DRAM SDRAM - DDR4 SMD / SMT Tray

• VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV

• VPP = 2.5V ، –125mV ، + 250mV

• جيل VREFDQ داخلي قابل للتعديل

• إدخال / إخراج مفتوح زائف 1.2 فولت

• وقت تحديث 8192 دورة في نطاق درجة حرارة TC: - 64 مللي ثانية عند -40 درجة مئوية إلى 85 درجة مئوية - 32 مللي ثانية عند> 85 درجة مئوية إلى 95 درجة مئوية - 16 مللي ثانية عند> 95 درجة مئوية إلى 105 درجة مئوية

• 16 بنكًا داخليًا (× 4 ، × 8): 4 مجموعات من 4 بنوك لكل منها

• 8 بنوك داخلية (× 16): مجموعتان من 4 بنوك لكل منهما

• بنية الجلب المسبق 8n بت

• برمجة البيانات القوية التمهيد

• تدريب ديباجة ستروب القوية

• وقت استجابة الأمر / العنوان (CAL)

• إمكانية قراءة وكتابة سجل متعدد الأغراض

• كتابة التسوية • وضع التحديث الذاتي

• التحديث الذاتي التلقائي منخفض الطاقة (LPASR)

• التحديث المتحكم في درجة الحرارة (TCR)

• تحديث التفاصيل الدقيقة

• إحباط التحديث الذاتي

• أقصى توفير للطاقة

• معايرة سائق الإخراج

• الإنهاء الاسمي ، والمتنزه ، والديناميكي للموت (ODT)

• انقلاب ناقل البيانات (DBI) لناقل البيانات

• الأمر / العنوان (CA) التكافؤ

• كتابة قاعدة البيانات لفحص التكرار الدوري (CRC)

• عنونة لكل DRAM

• اختبار الاتصال

• متوافق مع JEDEC JESD-79-4

• قدرة sPPR و hPPR