MT61K256M32JE-14-A 8 جيجابايت EMMC فلاش ذاكرة درام تحكم IC GDDR6 8G 256MX32

منتوج وصف

MT61K256M32JE-14: ذاكرة أصلية DRAM GDDR6 8G 256MX32 FBGA ذاكرة تخزين البيانات

سمات

• VDD = VDDQ = 1.35 فولت ± 3٪ ، 1.25 فولت ± 3٪ ، 1.20 فولت –2٪ / + 3٪

• VPP = 1.8 فولت –3٪ / + 6٪

• معدل البيانات: 12 جيجابت / ثانية ، 14 جيجابت / ثانية ، 16 جيجابت / ثانية

• قناتان مستقلتان منفصلتان (x16)

• ضبط تكوينات وضع x16 / x8 و 2-channel / pseudo channel (PC) عند إعادة الضبط

• واجهات أحادية الطرف لكل قناة للأمر / العنوان (CA) والبيانات

• إدخال التفاضل على مدار الساعة CK_t / CK_c لـ CA لكل قناتين

• إدخال ساعة تفاضلية واحدة WCK_t / WCK_c لكل قناة للبيانات (DQ ، DBI_n ، EDC)

• أمر / عنوان معدل البيانات المزدوج (DDR) (CK)

• معدل بيانات رباعي (QDR) ومعدل بيانات مزدوج (DDR) ، اعتمادًا على تردد التشغيل

• هندسة الجلب المسبق 16n مع 256 بت لكل مصفوفة وصول للقراءة أو الكتابة

• 16 مصرفاً داخلياً

• 4 مجموعات مصرفية لـ tCCDL = 3tCK و 4tCK

• زمن انتقال قابل للبرمجة للقراءة

• زمن انتقال WRITE قابل للبرمجة

• كتابة وظيفة قناع البيانات عبر ناقل CA مع دقة قناع أحادية البايت ومزدوجة البايت

• انعكاس ناقل البيانات (DBI) وانعكاس ناقل البيانات CA (CABI)

• الإدخال / الإخراج PLL

• تدريب ناقل CA: مراقبة مدخلات CA عبر إشارات DQ / DBI_n / EDC

• تدريب على مدار الساعة WCK2CK مع معلومات المرحلة عبر إشارات EDC

• قراءة البيانات وكتابة التدريب عبر قراءة FIFO (العمق = 6)

• قراءة / كتابة سلامة نقل البيانات مؤمنة بفحص التكرار الدوري

• برمجة CRC READ الكمون

• برمجة CRC WRITE الكمون

• نمط عقد EDC القابل للبرمجة لـ CDR

• وضع RDQS على دبابيس EDC